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実験 電圧降下 +5V FET

実験 電圧降下 +5V FET 整流

実験 逆流
条件 入力端子 電源供給+5.08V 負荷抵抗R=221
条件 出力端子 C=3.5F 端子電圧+5.08V
で、電源供給断、入力端子電圧はすぐに0.00V に降下、出力端子電圧は+5.08Vのまま保持

実験 電圧降下 負荷
in +5.05V out +5.05V DMG2305UX BCM857BS R=473 出力端子負荷なし
in +5.16V out +5.16V DMG2305UX BCM857BS R=473 出力端子負荷なし
in +5.16V out +5.10V DMG2305UX BCM857BS R=473 出力端子負荷ありR=unknown
in +5.16V out +5.08V DMG2305UX BCM857BS R=473 出力端子負荷ありR=330
in +5.18V out +5.18V IRLML6402 MMBT3906 R=473 出力端子負荷なし
in +5.13V out +5.08V IRLML6402 MMBT3906 R=473 出力端子負荷ありR=330

内部 DC-ACインバーター 1800W

内部 DC-ACインバーター 1800W
潮風の吹く野外で使用するのでクリティカルな電子部品をエポキシでコーティングした。ただ最重要であるFETゲート経路はできなかった。
DC12VをDC141V以上に昇圧するのに(1つのトランス+4つのFET)のペアを2セット採用している。そのため小型のトランスを使用でき、更にスイッチング周波数を半分にできるため安価なFETでOK、180度位相を重ね合わせるのでDC141Vをより平滑にできる。コイルでなくトランスを採用したのは絶縁のため? DC141V以上をAC100Vにするには単に4つのFETでスイッチングする、より滑らかなサイン波にするにはスイッチング周波数を高くする。